Seri tabung tunggal PIN empat kuadran
Karakteristik fotolistrik (@Ta=22±3℃) | |||||||||
Model | GT111 | GT112 | GD3250Y | GD3249Y | GD3244Y | GD3245Y | GD32413Y | GD32414Y | GD32415Y |
Bentuk paket | KE-8 | KE-8 | KE-8 | KE-20 | KE-31-7 | KE-31-7 | MBCY026-P6 | KE-8 | MBCY026-W7W |
Ukuran permukaan fotosensitif (mm) | Φ4 | Φ6 | Φ8 | Φ10 | Φ10 | Φ16 | Φ14 | Φ5.3 | Φ11.3 |
Rentang respons spektral (nm) | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1150 | 400~1150 |
Panjang gelombang respons puncak (nm) | 980 | 980 | 980 | 980 | 980 | 980 | 980 | 980 | 980 |
Responsivitas λ=1064nm(A/W) | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,4 | 0,4 | 0,4 | 0,5 | 0,5 |
Arus gelap (nA) | 5 (VR=40V) | 7 (VR=40V) | 10 (VR=40V) | 15(VR=40V) | 20 (VR=135V) | 50(VR=135V) | 40(VR=135V) | 4.8(VR=140V) | ≤20(VR=180V) |
Waktu naik In = 1064nm RL = 50Ω (ns) | 15(VR=40V) | 20 (VR=40V) | 25(VR=40V) | 30(VR=40V) | 20 (VR=135V) | 30(VR=135V) | 25(VR=135V) | 15(VR=140V) | 20 (VR=180V) |
Kapasitansi persimpangan f=1MHz(pF) | 5 (VR=10V) | 7 (VR=10V) | 10 (VR=10V) | 15(VR=10V) | 10 (VR=135V) | 10 (VR=135V) | 16(VR=135V) | 4.2(VR=140V) | 10 (VR=180V) |
Tegangan tembus (V) | 100 | 100 | 100 | 100 | 300 | 300 | 300 | ≥300 | ≥250 |
Arus gelap rendah
Daya tanggap tinggi
Konsistensi kuadran yang baik
Titik buta kecil
Pembidik laser, pelacakan panduan, dan perangkat eksplorasi
Pemosisian mikro laser, pemantauan perpindahan, dan sistem pengukuran presisi lainnya
Arus gelap rendah
Daya tanggap tinggi
Konsistensi kuadran yang baik
Titik buta kecil
Pembidik laser, pelacakan panduan, dan perangkat eksplorasi
Pemosisian mikro laser, pemantauan perpindahan, dan sistem pengukuran presisi lainnya