Modul PIN Si 850nm

Model: GD4213Y/ GD4251Y/ GD4251Y-A/ GD42121Y

Deskripsi Singkat:

Ini adalah modul fotodioda Si PIN 850nm dengan sirkuit pra-amplifikasi yang memungkinkan sinyal arus lemah untuk diperkuat dan diubah menjadi sinyal tegangan untuk mencapai proses konversi amplifikasi sinyal foton-fotolistrik.

dapatkan penawaran Unduh

Parameter Teknis

Label Produk

Fitur

Respon kecepatan tinggi
Sensitivitas tinggi

Aplikasi

Sekering laser

Parameter fotolistrik（@Ta=22±3℃）

Barang #	Kategori paket	Diameter permukaan fotosensitif (mm)	Daya tanggap	Waktu naik (n)	Rentang dinamis （dB）	Tegangan operasi (V)	Tegangan kebisingan (mV)	Catatan
Barang #	Kategori paket	Diameter permukaan fotosensitif (mm)	λ=850nm，φ_e= 1μW		λ=850nm	Tegangan operasi (V)	Tegangan kebisingan (mV)	Catatan
GD4213Y	KE-8	2	110	12	20	±5±0,3	12	-
GD4251Y		2	130	12	20	±6±0,3	40	(Sudut kejadian: 0°, transmisi 830nm~910nm ≥90%
GD4251Y-A		10×1,5	130	18	20	±6±0,3	40
GD42121Y		10×0,95	110	20	20	±5±0,1	25
Catatan: Beban uji GD4213Y adalah 50Ω, sisanya 1MΩ