APD 800nm
Fitur
- Bagian depan chip datar yang diterangi
- Respon kecepatan tinggi
- Keuntungan APD tinggi
- Kapasitansi persimpangan rendah
- Kebisingan rendah
Aplikasi
- Jangkauan laser
- Radar laser
- Peringatan laser
Parameter fotolistrik（@Ta=22±3℃）
| Barang # | Kategori paket | Diameter permukaan fotosensitif (mm) | Rentang respons spektral (nm) |
Panjang gelombang respons puncak | Daya tanggap λ=800nm φe=1μW M=100 (A/W) | Waktu merespon λ=800nm RL=50Ω （n） | Arus gelap M=100 (nA) | Koefisien Suhu Ta=-40℃～85℃ （V/℃）
| Kapasitansi total M=100 f=1MHz （pF）
| Tegangan rusak IR= 10μA （V） | ||
| Ketik. | Maks. | Min | Maks | |||||||||
| GD5210Y-1-2-TO46 | KE-46 | 0,23 |
400～1100
|
800 |
55
|
0,3 | 0,05 | 0,2 | 0,5 | 1.5 | 80 | 160 |
| GD5210Y-1-5-TO46 | KE-46 | 0,50 | 0,10 | 0,4 | 3.0 | |||||||
| GD5210Y-1-2-LCC3 | LCC3 | 0,23 | 0,05 | 0,2 | 1.5 | |||||||
| GD5210Y-1-5-LCC3 | LCC3 | 0,50 | 0,10 | 0,4 | 3.0 | |||||||
